BJT در مقابل IGBT
BJT (ترانزیستور اتصال دوقطبی) و IGBT (ترانزیستور دوقطبی دروازه ایزوله) دو نوع ترانزیستور هستند که برای کنترل جریان استفاده می شوند. هر دو دستگاه دارای اتصالات PN هستند و در ساختار دستگاه متفاوت هستند. اگرچه هر دو ترانزیستور هستند، اما تفاوت های قابل توجهی در ویژگی ها دارند.
BJT (ترانزیستور اتصال دوقطبی)
BJT نوعی ترانزیستور است که از دو اتصال PN (اتصال با اتصال یک نیمه هادی نوع p و نیمه هادی نوع n) تشکیل شده است. این دو اتصال با استفاده از اتصال سه قطعه نیمه هادی به ترتیب P-N-P یا N-P-N تشکیل می شوند. بنابراین دو نوع BJT معروف به PNP و NPN در دسترس هستند.
سه الکترود به این سه قسمت نیمه هادی متصل است و سرب وسط "پایه" نامیده می شود. دو اتصال دیگر «امیتر» و «کلکتور» هستند.
در BJT، جریان امیتر کلکتور بزرگ (Ic) توسط جریان امیتر پایه کوچک (IB) کنترل می شود و این ویژگی برای طراحی تقویت کننده ها یا سوئیچ ها مورد استفاده قرار می گیرد. بنابراین می توان آن را به عنوان یک دستگاه جریان محور در نظر گرفت. BJT بیشتر در مدارهای تقویت کننده استفاده می شود.
IGBT (ترانزیستور دوقطبی گیت عایق)
IGBT یک دستگاه نیمه هادی با سه ترمینال است که به نام های "Emitter"، "Collector" و "Gate" شناخته می شوند. این یک نوع ترانزیستور است که می تواند قدرت بیشتری را تحمل کند و سرعت سوئیچینگ بالاتری دارد که باعث کارایی بالا می شود. IGBT در دهه 1980 به بازار معرفی شد.
IGBT دارای ویژگی های ترکیبی MOSFET و ترانزیستور اتصال دوقطبی (BJT) است. این دریچه مانند ماسفت است و دارای مشخصات ولتاژ جریان مانند BJT است.بنابراین دارای مزایای هر دو قابلیت انتقال جریان بالا و سهولت کنترل است. ماژول های IGBT (متشکل از تعدادی دستگاه) کیلووات توان را تحمل می کنند.
تفاوت بین BJT و IGBT
1. BJT یک دستگاه جریان رانده است، در حالی که IGBT توسط ولتاژ دروازه هدایت می شود
2. پایانه های IGBT به عنوان امیتر، کلکتور و دروازه شناخته می شوند، در حالی که BJT از امیتر، کلکتور و پایه ساخته شده است.
3. IGBT ها در مدیریت انرژی بهتر از BJT هستند
4. IGBT را می توان ترکیبی از BJT و FET (ترانزیستور اثر میدانی) در نظر گرفت
5. IGBT در مقایسه با BJT ساختار دستگاه پیچیده ای دارد.
6. BJT در مقایسه با IGBT سابقه طولانی دارد
